tae32f5300aef128原装现货-尊龙凯时入口

30v-150v 屏蔽栅沟槽型 mosfet

500v-800v 超结 mosfet

? 功率mosfet一般用于低压（< 600 v ) 、低功率（< 1000 w）、高频（> 100 khz）的场

合，应用于电源管理、计算机及外设设备、通信、消费电子、汽车电子、工业控制等多个

领域。随着移动通讯5g建设启动，云计算ai和物联网的普及，汽车智能化、网联化、电动

化的推进，以及各类终端性能的不断提高 都在推动 功率mosfet 用量的大规模提高；

? 据yole预测，到2022年整个功率mosfet（含模块）市场规模将达到8.5b$, 复合增长率4.8%。

其中汽车（22%），计算和存储（19%）和工业（14%）是三个主要应用领域。

? 屏蔽栅沟槽型 mosfet系列产品具有电荷平衡功能，全面提升了器件的开关特性和导通特性，

同时降低了器件的特征导通电阻和栅极电荷。

? 屏蔽栅深沟槽技术全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件导通电阻随温度

增加而上升的幅度，从而显著增强了器件高温条件下的电流能力和抗冲击特性，更适宜于高

温酷暑环境下的应用。

? 配合先进的封装技术，屏蔽栅沟槽技术致力于提升mosfet器件在电能转换过程中的系统效

率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击电量，实现快速、平稳、高效的

电源管理和电机控制

特点与优势

＞极低的导通电阻＞极低的 fom 

＞高温下的电流能力更强

＞快速柔软恢复的体二极管特性

＞低 crss / ciss ，增强抗 emi 能力

＞高 uis 耐量，100％测试

＞符合 rohs 标准

应用

＞交直流电源同步整流直流电机驱动

＞逆变器

＞电池充电保护电路

＞隔离直流转换器

＞不间断电源

? 超结mosfet通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能.

其具有更快的开关速度，更低的导通损耗，极低的栅极电荷，从而降低了器件的功率损耗，

提高系统效率。

? 超结系列产品具有更优的雪崩耐量和esd能力，提高了器件应用中的可靠性，同时优化了

器件的开关特性，使其在系统应用中具有更好的emi表现，为系统设计提供更大的余量。

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